2021年有效专利
联系人:曹永胜、卢鹏志
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半导体所有效专利
2021年有效专利 |
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序 |
专利号 |
发明名称 |
所属领域 |
半导体材料制备与器件研制:284项 | |||
1 | ZL.200810100953.X | 一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN厚膜的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
2 | ZL.200810101761.0 | 铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
3 | ZL.200810226286.X | 一种制备微小化固态白光光源的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
4 | ZL.200810226287.4 | 一种制备半导体固态白光光源的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
5 | ZL.200810225785.7 | 百纳米级窄线宽多种形貌全息光栅光刻胶图样的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
6 | ZL.200910090350.0 | 一种制备薄膜材料的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
7 | ZL.200910091402.6 | 一种硅基光电器件集成方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
8 | ZL.201010033965.2 | 用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘及其制作工艺 | 半导体材料制备与器件研制 |
9 | ZL.201010141024.0 | 采用金属源化学气相沉积技术制备掺杂氧化锌的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
10 | ZL.201010143078.0 | 采用MVPE两步法制备氧化锌透明电极的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
11 | ZL.201010145087.3 | 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
12 | ZL.201010235870.9 | 一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
13 | ZL.201010235859.2 | 大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
14 | ZL.201010595707.3 | 一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
15 | ZL.201010601975.1 | 基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
16 | ZL.201110033767.0 | 光生微波信号源及方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
17 | ZL.201110093370.0 | 采用金属源化学气相沉积技术制备极性可控氧化锌的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
18 | ZL.201110100538.6 | 在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
19 | ZL.201110134149.5 | 自支撑氮化镓衬底的制作方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
20 | ZL.201110177081.9 | 氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
21 | ZL.201110206038.0 | 运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备 | 半导体材料制备与器件研制 |
22 | ZL.201110206340.6 | 倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
23 | ZL.201110206037.6 | 应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
24 | ZL.201110267894.7 | 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 | 半导体材料制备与器件研制 |
25 | ZL.201110264570.8 | HTCVD法碳化硅晶体生长装置 | 半导体材料制备与器件研制 |
26 | ZL.201110283050.1 | 大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
27 | ZL.201110343445.6 | 高速调制光发射器件非线性谐波特性的光量化器 | 半导体材料制备与器件研制 |
28 | ZL.201110346268.7 | 用于微机电系统器件的圆片级三维封装方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
29 | ZL.201110401468.8 | 氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
30 | ZL.201110430261.3 | GaN基薄膜芯片的制造方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
31 | ZL.201110431555.8 | 一种大厚度周期极化铁电晶体材料的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
32 | ZL.201210033517.1 | 具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
33 | ZL.201210075720.5 | 在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
34 | ZL.201210124792.4 | 一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
35 | ZL.201210211614.5 | 一种用于电子束蒸发的半导体外延片夹具 | 半导体材料制备与器件研制 |
36 | ZL.201210348006.9 | 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
37 | ZL.201210370227.6 | 多孔高分子薄膜生物芯片的制作方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
38 | ZL.201210375368.7 | 半导体发光器件及其制造方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
39 | ZL.201210380561.X | 微球分离筛选芯片及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
40 | ZL.201210436128.3 | 制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
41 | ZL.201210467084.0 | 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
42 | ZL.201210551728.4 | 阵列式油包液滴结构的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
43 | ZL.201310009072.8 | 利用自组装小球制作用于光刻版的金属网格模板的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
44 | ZL.201310024040.5 | 一种高晶体质量超细砷化铟纳米线生长方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
45 | ZL.201310048977.6 | 具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
46 | ZL.201310057280.5 | 用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
47 | ZL.201310062552.0 | 纳米刻蚀印章及利用其进行纳米刻蚀的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
48 | ZL.201310062478.2 | 制备硅基微电极的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
49 | ZL.201310077834.8 | 应用于电化学测量的便携式阻抗谱分析仪及阻抗谱分析方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
50 | ZL.201310084016.0 | N型注入的红外至可见波长上转换装置及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
51 | ZL.201310088301.X | 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
52 | ZL.201310106858.1 | 制备MSM结构CZT探测器的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
53 | ZL.201310144380.1 | 一种金属纳米圆环的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
54 | ZL.201310154044.5 | 基于光子晶体的可集成量子行走器件 | 半导体材料制备与器件研制 |
55 | ZL.201310176286.4 | 硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
56 | ZL.201310176608.5 | 低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
57 | ZL.201310280783.9 | 一种基于FPGA高速串行IO的保密通信方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
58 | ZL.201310306968.2 | 硅基高迁移率Ⅲ-V/Ge沟道的CMOS制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
59 | ZL.201310306847.8 | 硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
60 | ZL.201310315012.9 | 一种碳化硅薄膜生长设备及其生长方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
61 | ZL.201310315026.0 | 一种半导体薄膜生长装置及其生长方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
62 | ZL.201310407479.6 | 利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
63 | ZL.201310424507.5 | 一种单纤双向光收发器件 | 半导体材料制备与器件研制 |
64 | ZL.201310424535.7 | InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器及制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
65 | ZL.201310485162.4 | 在第一次光刻工艺中对准方形晶圆的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
66 | ZL.201310503797.2 | 基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
67 | ZL.201310503124.7 | 制备六棱柱纳米微腔中的量子点单光子源的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
68 | ZL.201310585868.8 | 提高AlN外延薄膜荧光强度的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
69 | ZL.201310594552.5 | 利用AFM的探针制备图形衬底的定位纳米压印系统 | 半导体材料制备与器件研制 |
70 | ZL.201310616178.4 | 一种微光学器件装调装置 | 半导体材料制备与器件研制 |
71 | ZL.201310651954.4 | 一种氮化镓系发光器件 | 半导体材料制备与器件研制 |
72 | ZL.201310716914.3 | 一种线状的具有光探性能的柔性超级电容器及制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
73 | ZL.201310722472.3 | 一种柔性锂离子电池及网络状钛酸锂电极结构的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
74 | ZL.201310750514.4 | 基于光子晶体自准直效应的可集成光量子行走器件 | 半导体材料制备与器件研制 |
75 | ZL.201310750779.4 | 生长半极性GaN厚膜的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
76 | ZL.201410028793.8 | 一种硅神经电极混合集成器件的制造方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
77 | ZL.201410045815.1 | 氧化物膜的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
78 | ZL.201410079066.4 | 基于光通信的会客密钥共享系统及方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
79 | ZL.201410083351.3 | 电缆线芯温度的间接测量方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
80 | ZL.201410092505.5 | 提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件 | 半导体材料制备与器件研制 |
81 | ZL.201410112734.9 | 基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
82 | ZL.201410153249.6 | 一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
83 | ZL.201410153659.0 | InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
84 | ZL.201410157558.0 | 用于磁学和电学性质同步测量的SQUID密封腔系统 | 半导体材料制备与器件研制 |
85 | ZL.201410160273.2 | 一种利用关键点特征匹配的图像跟踪方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
86 | ZL.201410191727.2 | 采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
87 | ZL.201410244847.4 | 基于可见光通信的单片机音频存储与广播系统及方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
88 | ZL.201410325433.4 | 基于希尔伯特变换和双谱估计的高精度光纤光栅解调方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
89 | ZL.201410324605.6 | 一种芯片表面污物清洁处理的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
90 | ZL.201410335136.8 | 在柔性衬底表面制作硬质微针阵列的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
91 | ZL.201410337785.1 | 一种GaN复合薄膜及在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
92 | ZL.201410344680.9 | 一种应用于光电子器件封装的光耦合设备 | 半导体材料制备与器件研制 |
93 | ZL.201410412107.7 | 高密度高均匀InGaN量子点结构及生长方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
94 | ZL.201410412325.0 | THz天线阵列的制作方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
95 | ZL.201410410714.X | 一种抗调制燕赵福彩网漂移的光纤光栅的解调方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
96 | ZL.201410426219.8 | 低电阻率低温P型铝镓氮材料的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
97 | ZL.201410504100.8 | 一种具有平面型发射阴极的纳米真空三极管及其制作方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
98 | ZL.201410500410.2 | 一种多感官集成的电子皮肤及其制造方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
99 | ZL.201410541559.5 | 增强聚对二甲苯薄膜与金属层粘附性的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
100 | ZL.201410552789.1 | 一种获得厚度大于10nm的室温铁磁性(Ga,Mn)As薄膜的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
101 | ZL.201410583507.4 | 基于微针阵列的肌肉阻抗手持电极及制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
102 | ZL.201410583521.4 | 基于有机晶体管的植入式柔性传感器及制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
103 | ZL.201410599230.4 | 一种基于近红外提高鉴别结果的定性分析方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
104 | ZL.201410658845.X | 一种多功能组合型纳米图形制作方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
105 | ZL.201410658716.0 | 一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
106 | ZL.201410758310.X | 无线能量传输发光系统及其芯片级发光装置的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
107 | ZL.201410785415.4 | 具有氮化镓系高阻层的HEMT及制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
108 | ZL.201410784663.7 | InGaN量子点的外延结构及生长方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
109 | ZL.201410785433.2 | 硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
110 | ZL.201410818494.4 | 一种雪崩光电二极管及其制作方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
111 | ZL.201510002676.9 | 用于金属有机化合物化学气相沉积设备反应室的进气顶盘 | 半导体材料制备与器件研制 |
112 | ZL.201510008972.X | 用于碳化硅生长的高温装置及方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
113 | ZL.201510016315.X | 柔性发光器件阵列及其制作方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
114 | ZL.201510028768.4 | 鲁棒的全局阈值分割方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
115 | ZL.201510027820.4 | 基于CIE Lab彩色空间的灰度阈值分割方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
116 | ZL.201510038148.9 | 基于AES加密系统的密钥更新方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
117 | ZL.201510094671.3 | 小型化、集成化的硅基场发射-接收器件 | 半导体材料制备与器件研制 |
118 | ZL.201510094613.0 | 碳化硅衬底上的AlN冷阴极结构 | 半导体材料制备与器件研制 |
119 | ZL.201510094612.6 | 阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极 | 半导体材料制备与器件研制 |
120 | ZL.201510093713.1 | 可以减少AlN冷阴极表面氧化的电子接收结构 | 半导体材料制备与器件研制 |
121 | ZL.201510128943.7 | 一种扫描探针及其制作方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
122 | ZL.201510236362.5 | 基于开口孔共振耦合效应的等离激元全光逻辑器件 | 半导体材料制备与器件研制 |
123 | ZL.201510266643.5 | 硅衬底及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
124 | ZL.201510266849.8 | 一种超声波触觉反馈系统及其制造方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
125 | ZL.201510309495.0 | 基于数据分组量化的局部放电识别方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
126 | ZL.201510326080.4 | 无线射频识别温度标签 | 半导体材料制备与器件研制 |
127 | ZL.201510328818.0 | 无源射频识别温度标签 | 半导体材料制备与器件研制 |
128 | ZL.201510346075.X | 一种具有垂直磁各向异性的铁磁颗粒膜的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
129 | ZL.201510385905.X | AWG输出波导与探测器有缝对接的集成器件及制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
130 | ZL.201510386760.5 | AWG输出波导与波导探测器的集成器件及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
131 | ZL.201510416658.5 | SiC基HEMT器件的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
132 | ZL.201510433848.8 | 近红外定性鉴别特征提取方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
133 | ZL.201510490656.0 | 碳化硅外延层区域掺杂的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
134 | ZL.201510504913.1 | Si衬底上GaN薄膜的生长方法及复合GaN薄膜 | 半导体材料制备与器件研制 |
135 | ZL.201510520866.X | 倒装阳极的纳米真空三极管结构及制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
136 | ZL.201510522409.4 | 基于二维岛的InGaN量子点外延结构及制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
137 | ZL.201510716751.8 | 一种硅基可调偏振旋转器件 | 半导体材料制备与器件研制 |
138 | ZL.201510736274.1 | 基于光纤布拉格光栅阵列的铁路钢轨横向裂纹监测方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
139 | ZL.201510763100.4 | 立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
140 | ZL.201510810985.9 | 环形检测电极面内伸缩谐振器设计及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
141 | ZL.201510896594.3 | 一种Cu@SiO2核壳结构的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
142 | ZL.201510896670.0 | 一种Si基复合负极材料及其锂电池的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
143 | ZL.201510967933.2 | AlxGa1-xN基紫外探测器及制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
144 | ZL.201510968014.7 | 硅基宽光谱探测器及制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
145 | ZL.201510996216.2 | 低电阻率P型氮化镓材料及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
146 | ZL.201511021604.5 | 微电极系统及其制备方法、电化学传感器 | 半导体材料制备与器件研制 |
147 | ZL.201511025986.9 | 一种氧化亚铜单晶薄膜的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
148 | ZL.201511021600.7 | 一种氧化镓薄膜的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
149 | ZL.201511021469.4 | 基于生物免疫机制的胚胎阵列故障诊断系统及诊断方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
150 | ZL.201610065321.9 | 适用于转印的无机半导体薄膜功能单元的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
151 | ZL.201610150734.7 | 一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
152 | ZL.201610173297.0 | 一种硅基GaAs单晶薄膜及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
153 | ZL.201610183107.3 | 高发光效率InGaN基多量子阱外延片及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
154 | ZL.201610318436.4 | 一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
155 | ZL.201610320201.9 | 用于微波等离子体化学气相沉积设备的组合式衬底基座 | 半导体材料制备与器件研制 |
156 | ZL.201610361608.6 | InAs/InSb/GaSb/InSb II类超晶格材料制造方法及产品 | 半导体材料制备与器件研制 |
157 | ZL.201610371526.X | 一种抽油机示功图的学习估计方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
158 | ZL.201610412360.1 | 一种室温下压电调控的磁性反常霍尔晶体管 | 半导体材料制备与器件研制 |
159 | ZL.201610467039.3 | 柔性发光器件及其制备方法、发光装置 | 半导体材料制备与器件研制 |
160 | ZL.201610496714.5 | L10-MnGa或MnAl基宽线性响应磁敏传感器及制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
161 | ZL.201610552010.5 | Heusler合金为插层的MnGa基垂直磁隧道结及制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
162 | ZL.201610584646.8 | 单光子源器件光纤阵列耦合输出装置、耦合系统及方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
163 | ZL.201610601585.1 | 一种仿生三维信息生成系统及方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
164 | ZL.201610797852.7 | 金属上单晶氮化物薄膜制备方法及体声波谐振器 | 半导体材料制备与器件研制 |
165 | ZL.201610797899.3 | 基于钙钛矿纳米片阵列的湿度传感器件及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
166 | ZL.201610859254.8 | 一种SiC基沟槽型场效应晶体管及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
167 | ZL.201610895094.2 | 一种自动描绘人脸线条画的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
168 | ZL.201610892160.0 | 铟砷锑和铟镓砷锑双波段红外探测器及制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
169 | ZL.201611180940.9 | 具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
170 | ZL.201611182489.4 | 可延展柔性无机光电子器件及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
171 | ZL.201611181053.3 | 一种图像无损压缩系统及方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
172 | ZL.201611202129.6 | 叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
173 | ZL.201611213900.X | 电压控制磁随机存储单元、存储器及其构成的逻辑器件 | 半导体材料制备与器件研制 |
174 | ZL.201611241397.9 | 一种单片集成平衡探测器及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
175 | ZL.201710029889.X | 一种横向结构锗/硅异质结雪崩光电探测器及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
176 | ZL.201710062991.X | 可见-短波红外探测器及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
177 | ZL.201710063245.2 | 一种反向PN型掺杂结构及制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
178 | ZL.201710063306.5 | 氮化物纳米带的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
179 | ZL.201710076020.0 | 碳化硅半导体器件及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
180 | ZL.201710094643.0 | 一种匀化白光光源及其匀化方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
181 | ZL.201710164775.6 | 基于褶皱导电薄膜的摩擦发电机及制备方法、集成结构 | 半导体材料制备与器件研制 |
182 | ZL.201710220057.6 | 基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片及制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
183 | ZL.201710222145.X | GaN基多孔DBR的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
184 | ZL.201710248369.8 | Si掺杂氮化镓/金属负极电池材料及其制备方法、锂电池 | 半导体材料制备与器件研制 |
185 | ZL.201710255136.0 | 光器件宽带频率响应值的测量方法及装置 | 半导体材料制备与器件研制 |
186 | ZL.201710385328.3 | 可重构集成微波光子射频前端器件 | 半导体材料制备与器件研制 |
187 | ZL.201710499946.0 | THz天线及其制作方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
188 | ZL.201710530035.X | 体声波谐振器及其底电极的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
189 | ZL.201710546012.8 | 确定含有单层石墨烯区的石墨烯样品堆垛次序的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
190 | ZL.201710649376.9 | 一种空间光束相位调控器件 | 半导体材料制备与器件研制 |
191 | ZL.201710671295.9 | AlN基板高效散热HEMT器件及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
192 | ZL.201710683066.9 | 一种实现指向控制功能的无线人机交互设备和方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
193 | ZL.201710728514.2 | 用于薄膜材料生长的感应加热装置 | 半导体材料制备与器件研制 |
194 | ZL.201710913890.9 | 侧向异质掺杂碳化硅结构的生长方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
195 | ZL.201710914652.X | 格栅调谐外延生长碳化硅薄膜的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
196 | ZL.201710951273.8 | 开放式单细胞研究用芯片及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
197 | ZL.201710981238.0 | 基于标准CMOS工艺的ISFET器件敏感膜制作方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
198 | ZL.201711153124.3 | 红外探测器光陷阱结构的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
199 | ZL.201711346622.X | 一种GaN基异质结二极管及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
200 | ZL.201711467108.1 | 制备大面积单一取向六方氮化硼二维原子晶体的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
201 | ZL.201711498024.4 | 基于离子注入石墨烯谐振式MEMS压力传感器的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
202 | ZL.201711498701.2 | 基于多层次异构并行处理的高速追踪系统及方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
203 | ZL.201810062158.X | 基于CMOS后工艺实现的三维光电集成光栅耦合器及制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
204 | ZL.201810062157.5 | 基于CMOS后工艺实现的三维光电集成滤波器及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
205 | ZL.201810093230.5 | 一种硅硅玻璃硅四层结构谐振式MEMS压力传感器制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
206 | ZL.201810164916.9 | 碳化硅沟槽型MOSFETs及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
207 | ZL.201810199125.X | 背靠背双吸收硅基光电探测器及制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
208 | ZL.201810203008.6 | 直接带隙发光的硅基材料及制备方法、芯片上发光器件 | 半导体材料制备与器件研制 |
209 | ZL.201810254393.7 | 一种分子束外延生长长波红外超晶格界面的优化方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
210 | ZL.201810324671.1 | 一种电镀夹具及其使用方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
211 | ZL.201810339609.X | 一种可延展柔性的光电针灸器件及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
212 | ZL.201810377077.9 | 一种高速高质量单晶金刚石的生长方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
213 | ZL.201810498089.7 | 制备氮化镓基纳米环结构的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
214 | ZL.201810534896.X | 低电阻层状结构正交相MoO3-x薄膜的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
215 | ZL.201810546272.X | 矩形平面镜夹具结构及夹持平面镜的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
216 | ZL.201810661477.2 | 一种硅基电吸收调制器及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
217 | ZL.201810722928.9 | 金属纳米线和多孔氮化物复合材料半导体及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
218 | ZL.201810727123.3 | 基于锑化物的可见光-中红外探测器及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
219 | ZL.201810810552.7 | AlN薄膜的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
220 | ZL.201810952470.6 | 温度控制芯片、其制备方法及包含其的温度控制芯片系统 | 半导体材料制备与器件研制 |
221 | ZL.201810977621.3 | 基于二维铁电半导体的非易失存储器及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
222 | ZL.201810999694.2 | 利用聚对二甲苯制备单层石墨烯的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
223 | ZL.201811000562.0 | 基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
224 | ZL.201811019235.X | 二维多铁半导体材料及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
225 | ZL.201811065138.4 | ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
226 | ZL.201811104242.X | 在卤化物钙钛矿薄膜表面制作金属微纳结构的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
227 | ZL.201811108728.0 | 一种光学粗糙且电学平坦型透明导电衬底的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
228 | ZL.201811106311.0 | 二维MOSFET/MFIS多功能开关存储器件及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
229 | ZL.201811143763.6 | 背入射式量子阱红外探测器单元器件封装装置及方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
230 | ZL.201811182263.3 | 多孔Ⅲ族氮化物及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
231 | ZL.201811274583.1 | 在InGaN表面获得In量子点的方法、InGaN量子点及外延结构 | 半导体材料制备与器件研制 |
232 | ZL.201811296447.2 | 声学滤波器与HEMT异构集成的结构及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
233 | ZL.201811309945.6 | 采用熔融碱液对碳化硅表面进行区域腐蚀的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
234 | ZL.201811362745.7 | 基于非晶衬底生长氮化物的方法及结构 | 半导体材料制备与器件研制 |
235 | ZL.201811360938.9 | 一种CMOS-MEMS集成芯片的规模化制造方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
236 | ZL.201811412951.4 | 托盘支撑和固定装置 | 半导体材料制备与器件研制 |
237 | ZL.201811412952.9 | 旋转托盘固定装置 | 半导体材料制备与器件研制 |
238 | ZL.201811417296.1 | 三维空间束缚单杂质原子晶体管及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
239 | ZL.201811432850.3 | 具有n-p-n结构背势垒的高电子迁移率晶体管及其制作方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
240 | ZL.201811467732.6 | 调制带宽增强的可见光通信光源及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
241 | ZL.201811529559.8 | 光耦合结构、系统及光耦合结构的制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
242 | ZL.201811529496.6 | 柔性VCSEL阵列器件及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
243 | ZL.201811538968.4 | 基于光子集成芯片的多功能信号源及操作方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
244 | ZL.201811606056.6 | 气体传感器及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
245 | ZL.201811632164.0 | 基于卷积神经网络的足迹识别及信息挖掘方法及系统 | 半导体材料制备与器件研制 |
246 | ZL.201910057252.0 | 半导体光电器件衬底减薄方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
247 | ZL.201910072641.0 | 基于微波等离子体化学气相沉积的石墨烯制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
248 | ZL.201910083227.X | 化学气相沉积法制备的多层石墨烯层数的确定方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
249 | ZL.201910089735.9 | 自锁定自跟踪的空间光通信发射端、接收端、系统及方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
250 | ZL.201910089751.8 | 空间光通信发射端、接收端、系统和方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
251 | ZL.201910102886.3 | 自吸纳米压印制备金属纳米结构的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
252 | ZL.201910121018.X | 一种中红外波段调制器及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
253 | ZL.201910121016.0 | 一种微流控芯片及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
254 | ZL.201910154931.X | 基因测序芯片及方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
255 | ZL.201910175096.8 | MOSFET器件 | 半导体材料制备与器件研制 |
256 | ZL.201910179100.8 | 无掩膜按需掺杂的离子注入设备及方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
257 | ZL.201910187930.5 | 一种锑化物量子点超晶格结构及其生长方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
258 | ZL.201910192567.6 | 在侧向外延薄膜上自对准形成图形及制备外延材料的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
259 | ZL.201910197797.1 | 可降低电学串扰的单光子探测器阵列及制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
260 | ZL.201910315599.0 | 一种磷化铟基光学混频器及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
261 | ZL.201910365768.1 | 电池负极材料及其制备方法、锂电池 | 半导体材料制备与器件研制 |
262 | ZL.201910370984.5 | 杂质原子阵列晶体管及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
263 | ZL.201910370982.6 | 基于硅纳米晶粒束缚的杂质原子晶体管及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
264 | ZL.201910535412.8 | 全电学调控的多功能自旋轨道力矩型器件及制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
265 | ZL.201910534596.6 | 一种数字PCR芯片及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
266 | ZL.201910570912.5 | 三维势垒限制的硅基杂质原子晶体管及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
267 | ZL.201910648713.1 | 一种光子芯片及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
268 | ZL.201910688287.4 | 有源芯片与无源光波导芯片的三维对准方法及结构 | 半导体材料制备与器件研制 |
269 | ZL.201910706871.8 | 基于肖特基结的线偏振光探测器及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
270 | ZL.201910771937.1 | 基于核壳纳米线的柔性偏振光探测器及制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
271 | ZL.201910855262.9 | 偏振无关的双脊型铟磷基光学混频器及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
272 | ZL.201910922500.3 | 太赫兹超材料生物传感器及其制备方法和检测方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
273 | ZL.201911003590.2 | 介质衬底上直接生长二维六方氮化硼的方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
274 | ZL.201911014684.X | 一种人造突触传感器及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
275 | ZL.201911041218.0 | 一种红外传感器及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
276 | ZL.201911126555.X | 可协变应力AlN结构及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
277 | ZL.201911218413.6 | 非对称三波导结构的偏振分束器及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
278 | ZL.201911424036.1 | 一种波导结构的神经突触及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
279 | ZL.202010003695.4 | 一种宽波段调谐系统及调谐方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
280 | ZL.202010118352.2 | 混合集成的光纤传感用光学器件 | 半导体材料制备与器件研制 |
281 | ZL.202010145389.4 | 一种AlGaN基二极管及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
282 | ZL.202010240167.0 | 一种AlGaAs/AlGaInP混合材料的外延生长方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
283 | ZL.202010369829.4 | 混合集成的氮化硅微环谐振腔及其制备方法 | 半导体材料制备与器件研制 |
284 | ZL.202020869458.1 | 热蒸发源炉 | 半导体材料制备与器件研制 |
半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件:518项 | |||
1 | ZL.200410034871.1 | 同轴封装半导体激光器陶瓷插 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
2 | ZL.200510011294.9 | 具有工艺误差补偿的数模混合信号环路压控振荡器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
3 | ZL.200510011295.3 | 高精度高线性度数模混合信号环路压控振荡器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
4 | ZL.200710179893.0 | 基于光纤阵列的2×2机械式光开关 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
5 | ZL.200810101355.4 | 具有1:N波长备份功能的波分复用无源光网络系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
6 | ZL.200810106277.7 | 用于测量红光超短脉冲半极大全宽度的自相关测量仪 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
7 | ZL.200810117070.X | 光子晶体啁啾波导慢光边发射激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
8 | ZL.200810118320.1 | 具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外腔面发射激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
9 | ZL.200810119581.5 | 一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
10 | ZL.200810119582.X | 一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
11 | ZL.200910081474.2 | 拉伸式光纤延时器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
12 | ZL.200910081992.4 | 带有光子晶体反射面和垂直出射面的FP腔激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
13 | ZL.200910081995.8 | 半导体激光器腔面温度的测量方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
14 | ZL.200910084037.6 | 通过功率-电流曲面获得激光器动态特性的方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
15 | ZL.200910088392.0 | 利用光延迟自注入DBR激光器得到微波的装置及方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
16 | ZL.200910088813.X | 通过腔面镀膜来提高量子点激光器温度特性的方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
17 | ZL.200910091397.9 | 全硅基材料多通道光收发模块 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
18 | ZL.200910091399.8 | 全硅基材料光收发模块 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
19 | ZL.200910237838.1 | 激光程控气体浓度检测系统及检测方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
20 | ZL.200910237847.0 | 汽车尾气氮氧化物监测光纤传感器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
21 | ZL.200910241684.3 | 基于光纤阵列同步2×2机械式光开关 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
22 | ZL.200910242351.2 | 一种快速锁定锁相环的频率综合装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
23 | ZL.200910242352.7 | 一种射频收发装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
24 | ZL.201010033962.9 | 用于金属有机物化学沉积设备的气体分配装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
25 | ZL.201010102017.X | 低相位噪声窄线宽可精确调谐光纤化激光微波源 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
26 | ZL.201010119332.3 | 紧凑型瞬时微波频率光子测量系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
27 | ZL.201010123023.3 | 一种高密度低寄生的电容装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
28 | ZL.201010139030.2 | 一种双环谐振的四路可重构光插分复用器结构 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
29 | ZL.201010162506.4 | 一种化学气相沉积装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
30 | ZL.201010191175.7 | 基于微小孔激光器的扫描近场光学显微镜系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
31 | ZL.201010235874.7 | 一种激光气体浓度检测的拟合动态寻峰方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
32 | ZL.201010256836.X | 一种非对称的高速低功耗收发装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
33 | ZL.201010500489.0 | 一种硅基光子晶体槽状波导微腔激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
34 | ZL.201010564545.7 | 分布放大的取样光栅分布布拉格反射可调谐激光器结构 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
35 | ZL.201010556376.2 | 一种光子晶体微腔激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
36 | ZL.201010577133.7 | 基于分数分频频率综合器的多标准I/Q正交载波产生装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
37 | ZL.201110009965.3 | 一种低功耗可编程增益放大器装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
38 | ZL.201110025124.1 | 超低温高真空光纤传感器探头 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
39 | ZL.201110025009.4 | 多级高精度微位移传感器探头 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
40 | ZL.201110025083.6 | 高速超低功耗16QAM发射装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
41 | ZL.201110025020.0 | 超低功耗OOK接收装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
42 | ZL.201110049791.3 | 用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
43 | ZL.201110054481.0 | TO封装的VCSEL二维圆形阵列模块的驱动转接装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
44 | ZL.201110059463.1 | 双新月对结构的化学传感系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
45 | ZL.201110062126.8 | 宽带频率可调谐光电振荡器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
46 | ZL.201110072412.2 | 采用T型电容网络反馈结构的CMOS生理信号放大器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
47 | ZL.201110087894.9 | 深紫外激光光致发光光谱仪 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
48 | ZL.201110093303.9 | FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
49 | ZL.201110098757.5 | 面向实时视觉芯片的高速行并行图像传感器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
50 | ZL.201110098743.3 | 基于标准CMOS工艺的彩色图像传感器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
51 | ZL.201110119775.7 | 复合结构光子晶体 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
52 | ZL.201110133353.5 | 条纹相机反射式离轴光学耦合装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
53 | ZL.201110148041.1 | 集成光子晶体相位调制器的耦合波导激光器的制备方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
54 | ZL.201110147409.2 | 实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
55 | ZL.201110152817.7 | 频率稳定的光生微波源 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
56 | ZL.201110155033.X | 集成光波导马赫-泽德干涉型传感芯片的制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
57 | ZL.201110194952.8 | 推挽式光纤检波器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
58 | ZL.201110272389.1 | 分量式光纤钻孔应变仪 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
59 | ZL.201110272995.3 | 光纤体应变仪 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
60 | ZL.201110306248.7 | 具有双精度工作模式的可编程CMOS温度传感器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
61 | ZL.201110343625.4 | 基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
62 | ZL.201110351958.1 | 基于四波混频效应的光量化器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
63 | ZL.201110385093.0 | 基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
64 | ZL.201110430312.2 | 微电极阵列传感器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
65 | ZL.201110430475.0 | 用于快速海洋测温的光纤温度传感器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
66 | ZL.201210007489.6 | 频带可调谐的光载超宽带无线电信号发生器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
67 | ZL.201210010933.X | 基于对称垂直光栅耦合的SOI基电光调制器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
68 | ZL.201210012013.1 | 电可调谐光栅耦合器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
69 | ZL.201210015339.X | 频带可调谐的光载超宽带无线电信号发生器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
70 | ZL.201210014829.8 | CMOS图像传感器全局曝光像素单元 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
71 | ZL.201210015346.X | 一种多读单写片内存储器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
72 | ZL.201210015129.0 | 高速CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
73 | ZL.201210014840.4 | CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
74 | ZL.201210015324.3 | 一种多步单斜模拟数字信号转换装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
75 | ZL.201210024474.0 | 基于非线性偏振旋转效应的全光微波倍频器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
76 | ZL.201210029087.6 | 具有可调陷波特性的混沌光载超宽带无线电信号发生器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
77 | ZL.201210105753.X | 量子点级联激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
78 | ZL.201210119169.X | 基于微纳操作臂的多自由度近场光学显微镜 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
79 | ZL.201210154197.5 | 一种制作双波长分布反馈集成激光器的方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
80 | ZL.201210155449.6 | 可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
81 | ZL.201210197039.8 | 基于光纤传感测量公路路面表层水膜厚度的方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
82 | ZL.201210208573.4 | 一种实现频率自锁定的分布反馈外腔窄线宽半导体激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
83 | ZL.201210209958.2 | 测量肖特基势垒高度的装置和方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
84 | ZL.201210211816.X | 量子级联激光器脊形腐蚀辅助检测装置及方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
85 | ZL.201210218494.1 | 介质光栅结构单波长反射光吸收传感芯片及其制造方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
86 | ZL.201210243513.6 | 基于谐振式微悬臂梁结构的高灵敏生化传感器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
87 | ZL.201210303217.0 | 基于相移光纤光栅的光纤传感系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
88 | ZL.201210319231.X | 利用选择区域外延技术制作分布反馈激光器阵列的方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
89 | ZL.201210333034.3 | 基于光梳的偏振复用信道化接收机 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
90 | ZL.201210370216.8 | 基于边入射光混频器的THz天线阵列 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
91 | ZL.201210374777.5 | 可调谐激光器与光放大器单片集成器件的制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
92 | ZL.201210464800.X | 一种光纤涡街流量计 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
93 | ZL.201210512880.1 | 可动态重构的多级并行单指令多数据阵列处理系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
94 | ZL.201210548515.6 | 基于多层次并行处理的视觉处理装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
95 | ZL.201210548501.4 | 一种片上超低功耗的无线收发装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
96 | ZL.201210548579.6 | 一种面向无线传感网应用的低功耗射频收发装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
97 | ZL.201210578938.2 | 基于光注入半导体激光器系统的可调谐微波光子滤波器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
98 | ZL.201310010357.3 | 用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
99 | ZL.201310018383.0 | 一种植物补光装置及其补光方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
100 | ZL.201310019361.6 | 基于非对称相移光栅的窄线宽DFB半导体激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
101 | ZL.201310030236.5 | 一种谐振腔增强型石墨烯电吸收调制器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
102 | ZL.201310056260.6 | 自组织单量子点的定位方法及装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
103 | ZL.201310071764.5 | 滤波式波长可调谐外腔激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
104 | ZL.201310082285.3 | 圆斑输出低发散角边发射光子晶体激光器及复合波导装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
105 | ZL.201310095986.0 | 基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
106 | ZL.201310106019.X | 低发散角近衍射极限输出啁啾光子晶体边发射激光器阵列 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
107 | ZL.201310136042.3 | 一种雪崩光电探测器及其高频特性提高方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
108 | ZL.201310136485.2 | 局域表面等离子体和波导模式耦合的结构 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
109 | ZL.201310140319.X | 多端口读写的片内存储器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
110 | ZL.201310141523.3 | 基站无色化的光纤分布式超宽带微波雷达 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
111 | ZL.201310155864.6 | 半导体激光器驱动电路 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
112 | ZL.201310157583.4 | 低发散角单纵模边发射光子晶体激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
113 | ZL.201310178827.7 | MEMS振荡器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
114 | ZL.201310178457.7 | 频率可切换的微机械谐振器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
115 | ZL.201310181107.6 | 电力绝缘设备性能测量及电流传感器固有相移测量方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
116 | ZL.201310193666.9 | 一种双色量子阱红外光探测器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
117 | ZL.201310193627.9 | 复合构型可调谐光栅外腔双模激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
118 | ZL.201310206538.3 | 可调谐激光器模块 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
119 | ZL.201310207968.7 | 可调谐有源滤波器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
120 | ZL.201310211088.7 | 单片集成耦合腔窄线宽半导体激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
121 | ZL.201310230999.4 | 多波长激光器阵列芯片的制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
122 | ZL.201310233361.6 | 镓锑基中红外圆斑输出低发散角边发射光子晶体激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
123 | ZL.201310234239.0 | 基于谐振式微悬臂梁结构的高灵敏生化传感器的制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
124 | ZL.201310235167.1 | 一种微机械谐振器及其制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
125 | ZL.201310242828.3 | 一种高速的植入式信号收发机 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
126 | ZL.201310242803.3 | 一种实现高亮度水平远场单瓣分布的光子晶体激光器阵列 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
127 | ZL.201310244181.8 | 一种产生多倍频低噪声微波信号的装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
128 | ZL.201310254551.6 | 光电探测器频率响应的测量系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
129 | ZL.201310300760.X | 基于光电振荡器的相移光纤布拉格光栅应变传感系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
130 | ZL.201310308727.1 | 光栅分布反馈量子级联激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
131 | ZL.201310306960.6 | 频率可调的MEMS谐振器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
132 | ZL.201310357340.5 | 硅基半导体超短脉冲激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
133 | ZL.201310357352.8 | 基于差影法的遥控器按键缺陷检测方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
134 | ZL.201310370281.5 | 利用量子阱混杂制作多波长光子集成发射器芯片的方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
135 | ZL.201310406865.3 | 一种双步消逝场耦合的雪崩光电探测器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
136 | ZL.201310431943.5 | 一种基于微波光子的多微波本振源产生装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
137 | ZL.201310447427.1 | 可调谐分布反馈量子级联激光器阵列器件及其制备方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
138 | ZL.201310454428.9 | 用于肝癌早诊的便携式传感系统及其功能化修饰方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
139 | ZL.201310473487.0 | 一种非对称沟道量子点场效应光子探测器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
140 | ZL.201310484580.1 | 检波器频率响应测量系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
141 | ZL.201310504071.0 | 一种低发散角分布反馈量子级联激光器结构及制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
142 | ZL.201310503782.6 | 一种低发散角的面发射量子级联激光器结构 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
143 | ZL.201310503604.3 | 激光器阵列与合波器单片集成芯片的制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
144 | ZL.201310510616.9 | 一种单纤双向小型化光收发封装装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
145 | ZL.201310509314.X | 基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
146 | ZL.201310510520.2 | 一种硅基微腔激光器的制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
147 | ZL.201310524728.X | 激光无线输能系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
148 | ZL.201310529374.8 | 一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
149 | ZL.201310529391.1 | 一种基于半导体光放大器的有源光学时间积分器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
150 | ZL.201310529303.8 | 一种具有W型有源区结构的带间级联激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
151 | ZL.201310541341.5 | 频率可调的MEMS滤波器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
152 | ZL.201310553805.4 | 带间级联激光器及其制备方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
153 | ZL.201310561866.5 | 阵列型微机电可变光衰减器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
154 | ZL.201310594225.X | 一种激光阵列热沉模块 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
155 | ZL.201310637212.6 | 氮化镓激光器腔面的制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
156 | ZL.201310616114.4 | 一种刻蚀衍射光栅型波分复用/解复用器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
157 | ZL.201310652143.6 | 高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
158 | ZL.201310705313.2 | 一种可调谐衬底发射量子级联激光器阵列器件 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
159 | ZL.201310722057.8 | 基于FPGA的低成本无外置存储器的图像数据采集传输系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
160 | ZL.201310728387.8 | 窄线宽稳频半导体激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
161 | ZL.201310729555.5 | 一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
162 | ZL.201410018204.8 | 密封传动装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
163 | ZL.201410030439.9 | 一种水下传感器链快速布放的方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
164 | ZL.201410030440.1 | 一种光纤温深潜标连续测量系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
165 | ZL.201410030644.5 | 一种拖曳式光纤温深剖面连续测量系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
166 | ZL.201410031337.9 | 利用激光微区等离子体诱导量子阱混和的方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
167 | ZL.201410032610.X | 基于相位生成载波技术的分布式光纤传感系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
168 | ZL.201410040751.6 | 无源RFID电子标签数字基带处理器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
169 | ZL.201410054225.5 | 行星式旋转托盘装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
170 | ZL.201410060091.8 | 一种基于一维光栅的表面入射石墨烯光电探测器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
171 | ZL.201410072466.2 | GaAs基PHEMT生物传感器及其制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
172 | ZL.201410072709.2 | 一种快速检测重金属离子的多通道传感器及其制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
173 | ZL.201410077521.7 | 一种小型化的铒镱共掺超荧光光纤光源 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
174 | ZL.201410082968.3 | 适用于温度传感器的可编程开关电容积分器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
175 | ZL.201410083323.1 | 单模光子晶体边发射半导体激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
176 | ZL.201410086771.7 | 一种大面阵相干光子晶体面发射激光光源结构 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
177 | ZL.201410086632.4 | 基于一维光子晶体结构的液晶光开关 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
178 | ZL.201410092524.8 | 源输送混合比可调气路装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
179 | ZL.201410095871.6 | 集成分布布拉格反射光栅的增强型石墨烯波导探测器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
180 | ZL.201410104143.7 | 一种共面电极电注入表面等离子微纳结构波导输出激光源 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
181 | ZL.201410112845.X | 一种斜侧壁倾斜波导光子晶体半导体激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
182 | ZL.201410112197.8 | 双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
183 | ZL.201410122498.9 | 基于交叉偏振调制和Sagnac环产生全光4倍频微波的装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
184 | ZL.201410125843.4 | 异质集成光波导可调波分复用/解复用器的制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
185 | ZL.201410133768.6 | 可见光通信系统误码率与光功率关系测量装置及测量方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
186 | ZL.201410160064.8 | 集成化的基于光注入回音壁模式激光器的光电振荡器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
187 | ZL.201410167862.3 | 一种基于交叉偏振调制实现全光微波上变频装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
188 | ZL.201410182968.0 | 基于交叉偏振调制的光控微波调相器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
189 | ZL.201410180646.2 | 一种光纤光栅低频应变传感解调系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
190 | ZL.201410181124.4 | 基于小波互相关技术的高精度光纤应变低频传感解调方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
191 | ZL.201410184396.X | 基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
192 | ZL.201410192952.8 | 基于双驱动马赫曾德调制器产生三角形微波信号的装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
193 | ZL.201410198311.3 | 基于交叉偏振调制产生任意波形微波信号的装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
194 | ZL.201410204718.2 | 减小GaN基蓝燕赵福彩网端发射激光器电子泄漏的方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
195 | ZL.201410276012.7 | 一种光电钥匙门锁装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
196 | ZL.201410276269.2 | 一种点到点的数据保密通信终端设备 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
197 | ZL.201410287623.1 | 多标准性能可重构式I/Q正交载波发生器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
198 | ZL.201410293624.7 | 一种无线射频发射装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
199 | ZL.201410295424.5 | 基于波导耦合微盘光子分子激光器的光脉冲同步信号源 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
200 | ZL.201410298693.7 | 基于微波移相器的微波信号光纤稳相传输系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
201 | ZL.201410299327.3 | 基于半导体双模激光器的优质可调谐光生微波源 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
202 | ZL.201410301042.9 | 一种硅波导输出的单模硅基混合激光光源 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
203 | ZL.201410324053.9 | 对偏振态变化不敏感的高精度光纤光栅传感解调方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
204 | ZL.201410324658.8 | 消除偏振态影响的高精度光纤光栅传感解调方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
205 | ZL.201410331789.9 | 无源光限幅器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
206 | ZL.201410386617.1 | 基于分布布拉格反射激光器的波长可调谐窄线宽光源 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
207 | ZL.201410418635.3 | 基于光学相位共轭的微波信号长距离光纤稳相传输装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
208 | ZL.201410428059.0 | 一种基于往返相位校正的微波信号光纤稳相传输装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
209 | ZL.201410428711.9 | 一种基于波长再利用的微波信号光纤稳相传输装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
210 | ZL.201410428722.7 | 基于受激布里渊散射的高灵敏度光矢量网络分析仪 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
211 | ZL.201410432227.3 | 基于SOA的交叉偏振调制效应的宽带移相器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
212 | ZL.201410432917.9 | 基于全光积分器的三角形脉冲信号产生装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
213 | ZL.201410444330.X | 基于量子点锁模激光器的光采样系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
214 | ZL.201410468526.2 | 基于光控非线性环形镜的微波脉冲信号产生装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
215 | ZL.201410490395.8 | 一种激光器及其制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
216 | ZL.201410520059.3 | 一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
217 | ZL.201410563125.5 | 降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
218 | ZL.201410563124.0 | 同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
219 | ZL.201410564609.1 | 抑制GaAs基激光器高阶模的方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
220 | ZL.201410564608.7 | 基于相位补偿的微波信号光纤稳相传输系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
221 | ZL.201410584902.4 | InP基单片集成少模光通信接收器芯片 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
222 | ZL.201410613588.8 | 单片集成式多波长半导体锁模激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
223 | ZL.201410612689.3 | 基于超宽带光频率梳产生奈奎斯特光脉冲的装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
224 | ZL.201410658852.X | 一种超高频无线传感标签 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
225 | ZL.201410669431.7 | 基于受激布里渊散射效应的三角波产生装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
226 | ZL.201410675930.7 | 一种SBS宽带可调谐光纤延迟系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
227 | ZL.201410687356.7 | 一种双面散热量子级联激光器器件结构 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
228 | ZL.201410707597.3 | 基于注入锁定量子点锁模激光器的多微波本振源产生装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
229 | ZL.201410709708.4 | 基于放大反馈实现直调带宽扩展的单片集成激光器芯片 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
230 | ZL.201410754289.6 | 兼容测距的CMOS图像传感器像素单元及其制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
231 | ZL.201410754322.5 | 兼容测距的高速CMOS图像传感器像素单元及制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
232 | ZL.201410764445.7 | 一种晶体管激光器及其制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
233 | ZL.201410785343.3 | 基于全光交叉偏振调制的空间方向角测量系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
234 | ZL.201410809706.2 | 基于多模干涉器结构的外调制型少模光通信发射芯片 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
235 | ZL.201410817189.3 | 基于波长扫描的光真延时平面相控阵发射天线系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
236 | ZL.201410814539.0 | 激光脉冲压缩与展宽系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
237 | ZL.201410820514.1 | 一种光电探测器光谱响应分析系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
238 | ZL.201410837054.3 | 一种自适应电荷再分布模数转换器、转换方法及校准方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
239 | ZL.201410837263.8 | 一种自适应电荷再分布模数转换器、转换方法及校准方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
240 | ZL.201410837188.5 | 一种自适应电荷再分布模数转换器、转换方法和校准方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
241 | ZL.201410838194.2 | 一种图像传感器特性参数测量分析系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
242 | ZL.201410837266.1 | 冗余自适应电荷再分布模数转换器的校准方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
243 | ZL.201410837097.1 | 逐次逼近模数转换器系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
244 | ZL.201410842021.8 | 一种直调式InP基单片集成少模光通信发射器芯片 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
245 | ZL.201510002648.7 | 基于锁相控制的宽带光学频率梳产生系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
246 | ZL.201510012713.4 | 制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
247 | ZL.201510031845.1 | 一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
248 | ZL.201510052314.0 | 具有非对称Al组分AlGaN限制层的氮化镓基激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
249 | ZL.201510067561.8 | 一种结合单量子点定位功能的激光直写光刻系统及其方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
250 | ZL.201510079793.5 | 基于氧化锌键合III-V族和硅混合型激光器结构和方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
251 | ZL.201530046404.X | 光谱仪显微共焦模块 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
252 | ZL.201510166090.6 | 基于双模燕赵福彩网形微腔激光器的可调谐光频梳 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
253 | ZL.201510166121.8 | 利用光电振荡器主动校准微波信号光纤传输的装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
254 | ZL.201510169696.5 | 一种基于单片集成微腔激光器的可调谐光频梳产生系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
255 | ZL.201510175330.9 | GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
256 | ZL.201520244897.2 | 户外免维护多功能无线传感器网络网关 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
257 | ZL.201520256212.6 | 测量土壤含水量和温度的装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
258 | ZL.201510270769.X | 二维光栅双波长DFB激光器的制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
259 | ZL.201510270790.X | 单片集成式多波长偏振复用/解复用器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
260 | ZL.201510300471.9 | 表面等离子体调制的倒装VCSEL激光器及其制造方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
261 | ZL.201510300412.1 | 红外光电探测器及其制造方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
262 | ZL.201510301076.2 | 一种驻极体电容式超声传感器及其制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
263 | ZL.201510309493.1 | 基于耦合腔的单模高速调制法布里-珀罗半导体激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
264 | ZL.201510329218.6 | 制备高选择比量子级联激光器脊波导结构的湿法腐蚀方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
265 | ZL.201510348841.6 | 基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
266 | ZL.201510354771.5 | 激光器降噪设备及采用该设备降噪的方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
267 | ZL.201510354228.5 | 基于双电吸收调制激光器实现单边带调制的系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
268 | ZL.201510354241.0 | 用于激光显示的激光光源 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
269 | ZL.201510388664.4 | 集成超声换能器的AFM探针阵列 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
270 | ZL.201510388711.5 | 变周期倾斜光栅激光器及制备方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
271 | ZL.201510390181.8 | 一种基于微机电技术的M×N光交换阵列 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
272 | ZL.201510388715.3 | 一种基于洛伦兹力的双向串联MEMS执行器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
273 | ZL.201510394504.0 | 适用于激光显示的消相干准三维光子晶体超辐射光源 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
274 | ZL.201510394294.5 | 基于受激布里渊散射的单边带光载微波信号产生装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
275 | ZL.201510435083.1 | 一种定向输出的圆环微腔激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
276 | ZL.201510435081.2 | 一种单模激射圆环微腔激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
277 | ZL.201510526144.5 | 高稳频可调谐窄线宽激光器及使用方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
278 | ZL.201510542344.X | 一种光纤倾斜仪 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
279 | ZL.201510542578.4 | 基于锁频技术和拍频原理的光纤激光静态应变解调系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
280 | ZL.201510542557.2 | 一种互参考的光纤激光静态应变传感解调系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
281 | ZL.201510542608.1 | 基于参考光纤激光器的高精度静态应变拍频解调系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
282 | ZL.201510541632.3 | 基于单边带扫频调制的光纤激光静态应变拍频解调系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
283 | ZL.201510548632.6 | 一种提高氮化镓基激光器性能的方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
284 | ZL.201510547137.3 | InP基波分-模分复用少模光通信光子集成发射芯片 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
285 | ZL.201510552808.5 | 载荷无源的空间激光通信系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
286 | ZL.201510590526.4 | 准三维光子晶体窄线宽激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
287 | ZL.201510611798.8 | 基于萨格纳克环的光矢量网络分析仪装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
288 | ZL.201510633250.3 | 一种基于多通道信号碎片化传输的信息保密方法及装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
289 | ZL.201510665008.4 | 波导三维模斑转换器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
290 | ZL.201510706103.4 | 量子级联激光器相干阵列结构、激光器及其制造方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
291 | ZL.201510716757.5 | 波长快速调谐的单片集成外腔振荡激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
292 | ZL.201520848947.8 | 一种海底地震仪沉耦架 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
293 | ZL.201510764948.9 | 基于场效应晶体管的太赫兹波探测器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
294 | ZL.201510836271.5 | 基于无源光开关的空间激光通信转发系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
295 | ZL.201510873247.9 | 太赫兹量子级联激光器的液氮冷却系统及采用其的激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
296 | ZL.201510882626.4 | 基于MMI耦合器的InP基少模光子集成发射芯片 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
297 | ZL.201510922990.9 | 大容差耦合波导 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
298 | ZL.201510967950.6 | 共腔双波长分布反馈激光器的制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
299 | ZL.201510996201.6 | 近场卷积信号处理系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
300 | ZL.201510998251.8 | 快速扫频的傅里叶域锁模光电振荡器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
301 | ZL.201511001357.2 | 一种绿光激光器外延片及其制备方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
302 | ZL.201510999578.7 | 外腔窄线宽激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
303 | ZL.201511006107.8 | 少模面发射激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
304 | ZL.201511019962.2 | 单纵模且波长可调谐的多段式FP激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
305 | ZL.201511020707.X | 一种半导体超短脉冲高重频激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
306 | ZL.201511020694.6 | 一种集中供湿的脑电帽及柔性微渗电极结构 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
307 | ZL.201610020563.6 | 直接调制激光器微带制备方法及由此得到的微带和激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
308 | ZL.201610019401.0 | 无线射频识别温度标签的监测装置、系统及方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
309 | ZL.201610069089.6 | 一种太赫兹半导体激光器及其制造方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
310 | ZL.201610110999.4 | 应用于异面电极激光器芯片的封装结构 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
311 | ZL.201610109977.6 | 可宽带线性调频窄线宽激光装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
312 | ZL.201610121987.1 | 一种基于微环谐振器的可调谐光学陷波滤波器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
313 | ZL.201610149517.6 | 一种硅基混合集成雪崩光电探测器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
314 | ZL.201610159350.1 | 基于布里渊光载波恢复的可调谐单通带微波光子滤波器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
315 | ZL.201610168919.0 | 多路径相差光跳频保密通信系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
316 | ZL.201610183087.X | 应力调控波导层绿光激光器外延片及其制备方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
317 | ZL.201610251536.X | 激光器的侧边耦合光栅及其制备方法、包含其的激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
318 | ZL.201610265119.0 | 一种具有光束扩散结构的高速半导体激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
319 | ZL.201610281338.8 | 宽带线性调频微波信号发生器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
320 | ZL.201610304577.0 | 表贴式无自激的偏置网络 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
321 | ZL.201610320424.5 | 金属有机化合物气相沉积反应装置的反应基座 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
322 | ZL.201610352950.X | 一种用于光电子集成芯片的封装结构 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
323 | ZL.201610370735.2 | 980nm半导体激光器结构及制备方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
324 | ZL.201610443241.2 | 基于受激布里渊散射的激光器线宽压窄装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
325 | ZL.201610443677.1 | 基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
326 | ZL.201610451844.7 | 基于微波通信和空间无线光通信双链路的跳频通信系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
327 | ZL.201610544412.0 | 全半导体中红外可调频吸收器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
328 | ZL.201610550266.2 | 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
329 | ZL.201610563206.4 | 嵌入型多通道信号手机加密通信装置及算法编码方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
330 | ZL.201610563408.9 | 高速通信中生成传输和获取管理控制信号系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
331 | ZL.201610563190.7 | 二维光子准晶宽区半导体激光器结构 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
332 | ZL.201610836551.0 | 硅基横向注入激光器及其制备方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
333 | ZL.201610867200.6 | 可调谐单通带微波光子希尔伯特变换滤波系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
334 | ZL.201610880873.5 | 四波长输出半导体激光器及其制备方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
335 | ZL.201610893732.7 | 高速量子级联红外探测器及其制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
336 | ZL.201610924314.X | 一种用于直接调制激光器芯片的子载体封装结构 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
337 | ZL.201610927612.4 | 基于交叉偏振调制的微波光子滤波器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
338 | ZL.201610948341.0 | 电子输运通道为斜跃迁-微带型的量子级联红外探测器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
339 | ZL.201610957718.9 | 一种诱导激光雷达侦测的系统及方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
340 | ZL.201610930814.4 | 一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
341 | ZL.201610973949.9 | 一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
342 | ZL.201610998508.4 | 微波光子相移装置及方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
343 | ZL.201611063646.X | 多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
344 | ZL.201611079550.2 | 小型化光电被动测距装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
345 | ZL.201611088806.6 | 硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
346 | ZL.201611182488.X | 一种图像无损压缩装置及方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
347 | ZL.201621432428.4 | 一种杀菌消毒的装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
348 | ZL.201611232774.2 | 一种长波长垂直腔面发射激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
349 | ZL.201611241390.7 | 一种聚合物辅助键合的混合型激光器及其制备方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
350 | ZL.201611257550.7 | 一种用于分布式光纤声传感系统的降噪方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
351 | ZL.201710023591.8 | 一种用于分布式光纤声传感的径向敏感光纤 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
352 | ZL.201710062558.6 | 声磁同测的分布式光纤传感系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
353 | ZL.201710062988.8 | 宽光谱晶闸管激光器的制备方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
354 | ZL.201710063242.9 | 晶体管激光器及其制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
355 | ZL.201710084923.3 | 一种防止交叉污染的多试剂顺序进液装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
356 | ZL.201710105913.3 | 全光触发器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
357 | ZL.201710139968.6 | 一种柔性超表面结构 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
358 | ZL.201710144156.0 | 可调谐多普勒频移装置及方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
359 | ZL.201710158556.7 | 一种量子点增强的纳米线以及紫外光电探测器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
360 | ZL.201710200936.2 | 形成微波光子光控波束的系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
361 | ZL.201710252393.9 | 用于量子密钥分发的片上高速偏振控制编码器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
362 | ZL.201710255127.1 | CMOS图像传感器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
363 | ZL.201720492130.0 | 一种分离和富集体液成分的装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
364 | ZL.201710323557.2 | 基于光开关的波束扫描光控相控阵雷达 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
365 | ZL.201710323558.7 | 对微波信号进行非线性时域拉伸的非相干光信号处理系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
366 | ZL.201710332883.X | 一种2×2多模光开关 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
367 | ZL.201710342201.3 | 多模激光器及其多模调节方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
368 | ZL.201710402079.4 | 一种用于微波振荡源的单片集成隧道结激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
369 | ZL.201710472687.2 | 环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器结构 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
370 | ZL.201710478044.9 | 双链路通信接收系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
371 | ZL.201710498851.7 | 基于正弦空间调制的阵列波导 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
372 | ZL.201710504886.7 | 光纤放大器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
373 | ZL.201710530774.9 | 利用杂质诱导混杂技术制作半导体激光器的方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
374 | ZL.201710545824.0 | 光纤激光器温度和应变同时测量系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
375 | ZL.201710546011.3 | 基于双激光光源锁频与拍频测量的光纤光栅信号解调系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
376 | ZL.201710550797.6 | 基于耦合串扰理论的激光波长可调且长时稳频装置及方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
377 | ZL.201710559781.1 | GaN基激光器及其制备方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
378 | ZL.201710561156.0 | 一种硅基集成任意波形信号发生器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
379 | ZL.201710621042.0 | 基于双平行马赫曾德调制器的微波光子滤波器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
380 | ZL.201710717276.5 | M×N多播传送光开关 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
381 | ZL.201710728515.7 | 加热托盘的固定控制装置及其设备 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
382 | ZL.201710738799.8 | 一种基于电磁感应的加热装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
383 | ZL.201710777151.1 | 基于典型关联分析的电流互感器角差的确定方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
384 | ZL.201710795032.9 | 可调谐激光器及其制备方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
385 | ZL.201710831338.5 | 多路异步信息的传输控制装置及方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
386 | ZL.201710864770.4 | 一种图像处理器及处理方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
387 | ZL.201710865761.7 | 光频梳的调整装置及方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
388 | ZL.201710880114.3 | 一种利用反射谱精细度测量光波导损耗的系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
389 | ZL.201710888586.3 | 硅基混合集成激光器阵列及其制备方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
390 | ZL.201710908611.X | 一种锁相环时钟发生器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
391 | ZL.201710908626.6 | 一种数字锁相环频率综合装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
392 | ZL.201710997431.3 | 弯曲锥形光子晶体激光器及阵列、阵列光源组 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
393 | ZL.201710996570.4 | 片上光网络拓扑结构的调整方法及装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
394 | ZL.201710998805.3 | 硅基混合集成可调谐激光器及光子芯片 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
395 | ZL.201711094947.3 | 基于相干激光调频通信的发射端、接收端、系统及方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
396 | ZL.201711094946.9 | 一种多模数模转换器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
397 | ZL.201711103664.0 | 基于谐振腔增强波导传输的高效波片 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
398 | ZL.201711323556.4 | 电泵浦钙钛矿量子点激光器的制备方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
399 | ZL.201711439306.7 | 紧凑型工业相机 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
400 | ZL.201721906477.1 | 用于薄片材料解离和转移的装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
401 | ZL.201810013244.1 | 集成光电振荡器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
402 | ZL.201810077578.5 | 基于不完整非对称AWG的光学相控阵 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
403 | ZL.201810115958.3 | 一种片上可调谐多模干涉反射镜 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
404 | ZL.201810164333.6 | 一种三维结构的可调光延迟线 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
405 | ZL.201810178924.9 | 电吸收调制激光器的整片结构及其制作测试方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
406 | ZL.201810208329.5 | 双波长分布式光纤声传感系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
407 | ZL.201810211989.9 | 基于相位生成载波技术的混合型光纤传感系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
408 | ZL.201810314033.1 | 周期性交错波导结构、以及电光调制结构和MZI结构 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
409 | ZL.201810318367.6 | 基于SiGe材料的电调谐有源波导结构以及应用其的MZI结构 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
410 | ZL.201810369450.6 | 一种太赫兹量子级联激光器双面金属键合的方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
411 | ZL.201810408182.4 | 3~5μm红外波段雪崩光电二极管探测器及其制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
412 | ZL.201810460566.0 | 基于宇称-时间对称原理的光电振荡器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
413 | ZL.201810545110.4 | 用于链路内模式交换和链路交换的多模光开关架构 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
414 | ZL.201810545109.1 | 全交换多模信号光开关架构 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
415 | ZL.201810536668.6 | 超高Q值单通带微波光子滤波器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
416 | ZL.201810600079.X | 电注入硅基III-V族纳米激光器阵列的制备方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
417 | ZL.201810747961.7 | 拍频式频谱侦测系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
418 | ZL.201810778850.2 | 半导体激光器非吸收窗口的制备方法及半导体激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
419 | ZL.201810789658.3 | 双模激光器THz泵浦源的制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
420 | ZL.201810789769.4 | 光电探测器的制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
421 | ZL.201810811169.3 | 基于直调半导体激光器自反馈单周期振荡的光电振荡器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
422 | ZL.201810829421.3 | 基于时域泰伯效应的加密、解密通信装置和保密通信系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
423 | ZL.201810829418.1 | 基于时域泰伯效应的时域隐身系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
424 | ZL.201810832093.2 | 片上集成傅里叶锁模激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
425 | ZL.201810834778.0 | 基于光电振荡器的矢量微波信号产生系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
426 | ZL.201810842211.8 | 中红外超晶格带间跃迁激光器及其制备方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
427 | ZL.201810860756.1 | 超窄单通带微波光子滤波器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
428 | ZL.201810908007.1 | 基于微波光子技术的射频相位编码信号产生装置及方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
429 | ZL.201811000561.6 | 基于受激布里渊散射可调光电振荡器的弱信号探测及方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
430 | ZL.201811048055.4 | 窄垂直远场发散角的隧道结光子晶体激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
431 | ZL.201811078714.9 | 光反馈结构及可调谐窄线宽外腔激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
432 | ZL.201811104241.5 | 双通道长波红外探测器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
433 | ZL.201811150090.7 | 一种直接用于显示的高功率低相干性激光光源 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
434 | ZL.201811153822.8 | MSM型多孔氧化镓日盲探测器及其制造方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
435 | ZL.201811195238.9 | 基于随机布里渊光纤激光器的可调谐光电振荡器及方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
436 | ZL.201811228418.2 | 基于弧形扩散区的雪崩光电探测器及其制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
437 | ZL.201811292306.3 | 紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
438 | ZL.201811343880.7 | 基于锁模激光器的上下变频系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
439 | ZL.201811363372.5 | 集成CMOS-MEMS的高灵敏谐振式传感器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
440 | ZL.201811485068.8 | 单片集成双波长半导体激光器及其制备方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
441 | ZL.201811514009.9 | 半导体激光器及不同折射率腔面膜的制备方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
442 | ZL.201811529259.X | 压电MEMS解耦结构及MEMS陀螺仪 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
443 | ZL.201811548103.6 | 可调谐的高稳频窄线宽半导体激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
444 | ZL.201811579463.2 | 盖板结构及其制作方法、电容式传感器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
445 | ZL.201811605950.1 | 柔性电容型触觉传感器、电子皮肤、可穿戴设备及方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
446 | ZL.201822274742.X | 基于缺陷地结构共面波导的激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
447 | ZL.201811653476.X | 可调谐耦合腔半导体激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
448 | ZL.201910057155.1 | kHz量级单通带微波光子滤波器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
449 | ZL.201910061317.9 | 片上集成半导体激光器结构及其制备方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
450 | ZL.201910102887.8 | 电注入硅基III-V族边发射纳米线激光器及其制备方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
451 | ZL.201910116788.5 | 低V型缺陷密度的GaN基多量子阱激光器外延片及制备方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
452 | ZL.201910115264.4 | 基于微结构激光器的一维雷达扫描发射装置及制备方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
453 | ZL.201910116637.X | 基于光学频率梳的微波瞬时测频装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
454 | ZL.201910132184.X | 垂直腔面发射激光器及其制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
455 | ZL.201910132860.3 | 电泵浦钙钛矿复合腔激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
456 | ZL.201910149571.4 | 一种脉冲序列压缩编码方法和装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
457 | ZL.201910149575.2 | 非分光红外气体传感器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
458 | ZL.201910181961.X | 基于光电振荡器的弱信号探测放大系统及方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
459 | ZL.201920362558.2 | 非分光红外气体传感器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
460 | ZL.201910217259.4 | 基于多模光电振荡器的弱信号探测放大系统及方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
461 | ZL.201910279307.2 | 基于光环形器的光跳频系统及发送机 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
462 | ZL.201910316646.3 | 光缓存芯片及电子设备 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
463 | ZL.201920622058.8 | 气相沉积设备的进气喷淋头 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
464 | ZL.201910401351.6 | 一种片上编码器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
465 | ZL.201910401352.0 | 一种片上编码器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
466 | ZL.201910400701.7 | 光电振荡器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
467 | ZL.201910421155.5 | 一种基于动态放大器的开关电容积分器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
468 | ZL.201910483830.7 | 一种用于时间BB84协议的片上解码器及解码方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
469 | ZL.201910483879.2 | 一种用于偏振BB84协议的片上解码器及解码方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
470 | ZL.201910485252.0 | 用于高精度光纤陀螺的混合集成窄线宽激光器系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
471 | ZL.201910496207.5 | 激光加热控制磁随机的存储单元、存储器和逻辑器件 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
472 | ZL.201910504380.5 | 基于双腔结构的纠缠光源 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
473 | ZL.201910524087.5 | 基于光子晶体激光阵列的微推进器光源 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
474 | ZL.201910534116.6 | 一种基于高阶横模波导输出的混合集成激光器芯片结构 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
475 | ZL.201910539768.9 | 一种集成化布里渊散射激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
476 | ZL.201910546165.1 | 基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
477 | ZL.201910573108.2 | 用于显示和成像的光子晶体激光器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
478 | ZL.201910573109.7 | 用于激光显示的激光光源 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
479 | ZL.201910634536.1 | 基于微分技术的频率测量装置及采用其的微波接收机 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
480 | ZL.201910648930.0 | 二类超晶格雪崩光电探测器及其制作方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
481 | ZL.201910663893.0 | 用于激光显示的激光光源 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
482 | ZL.201910669103.X | 基于光纤色散效应的镜像干扰抑制混频器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
483 | ZL.201910693026.1 | 一种用于确定AMZI偏振无关温控条件的装置及方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
484 | ZL.201910692920.7 | 一种用于量子密钥分发的编码芯片 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
485 | ZL.201910693028.0 | 用于确定AMZI相位调制器半波电压的装置和方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
486 | ZL.201921250360.1 | 量子级联激光器精确控温的两级温控系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
487 | ZL.201910719229.3 | 微波多普勒频移的测量系统及其应用 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
488 | ZL.201921265541.1 | 基于量子级联激光器的二氧化碳同位素光声光谱检测装置 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
489 | ZL.201910756607.5 | 基于波分复用技术的全光串并转换系统 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
490 | ZL.201910772038.3 | 一种基于共振隧穿的纳米线晶体管及其制备方法 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
491 | ZL.201910821917.0 | 梯度增强型Softmax分类器、训练信号产生方法及其应用 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
492 | ZL.201910857134.8 | 基于双偏振双平行马赫曾德尔调制器的可重构滤波器 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
493 | ZL.201910873249.6 | 芯轴推挽式刻槽光纤麦克风 | 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件 |
494 | ZL.201910908200.X | 太赫兹半导体激光器、其制备方法及应用 |